Memoria para Notebook 16GB DDR4 3200mhz KVR32S22S8/16 Kingston

Expanda o desempenho do seu notebook com a Memória 16GB DDR4 3200MHz KVR32S22S8/16 Kingston!

A Memoria para Notebook 16GB DDR4 3200mhz KVR32S22S8/16 Kingston é o upgrade perfeito para garantir o máximo de eficiência e velocidade ao seu notebook. Com capacidade de 16GB e velocidade de 3200MHz, ela aumenta a capacidade de processamento do seu dispositivo, permitindo que você execute várias tarefas ao mesmo tempo sem comprometer o desempenho.

Diferenciais do produto:

Alta capacidade: Com 16GB de memória, essa RAM garante um espaço ideal para armazenar todos os seus arquivos e programas.

Velocidade avançada: Com uma frequência de 3200MHz, essa memória proporciona um desempenho rápido e eficiente, garantindo uma experiência sem travamentos e atrasos.

Tecnologia DDR4: A memória DDR4 é a mais recente e avançada em termos de tecnologia de memória, oferecendo maior velocidade de transferência de dados e melhor eficiência energética.

Mais sobre o Produto:

Upgrade simples: Basta instalar essa memória no seu notebook e aproveitar os benefícios imediatos de um desempenho aprimorado.

Compatibilidade ampla: Essa memória foi projetada para ser compatível com notebooks que suportam módulos de memória DDR4, oferecendo uma solução versátil para diferentes modelos e marcas.

Qualidade Kingston: A Kingston é uma das marcas mais renomadas no mercado de componentes de informática, garantindo produtos duráveis, confiáveis e de alto desempenho.

Dicas de uso:

Antes de instalar a memória, certifique-se de desligar o notebook e desconectar o cabo de energia.

Consulte o manual do seu notebook para verificar a quantidade máxima de memória suportada pelo seu dispositivo.

Ao realizar a instalação, certifique-se de encaixar corretamente a memória nos slots e de que ela está firmemente fixada.

Após a instalação, reinicie o notebook para que as alterações sejam reconhecidas pelo sistema operacional.

A Memoria para Notebook 16GB DDR4 3200mhz KVR32S22S8/16 Kingston é a escolha perfeita para impulsionar o desempenho do seu notebook, garantindo uma experiência fluída e eficiente em todas as suas atividades. Não perca mais tempo e adquira já essa memória de alta qualidade!

Dados Técnicos: Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típica VDDQ = 1,2 V típico VPP = 2,5 V típico VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para dados, strobe e sinais de máscara Auto-atualização de baixa potência (LPASR) Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados Geração e calibração de VREFDQ na matriz Single-rank EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD) 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS) Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF) Topologia fly-by Comando de controle terminado e barramento de endereço PCB: Altura 1,23 (30,00 mm) Compatível com RoHS e livre de halogênio
Outras Especificações: CL (IDD): 22 ciclos Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.) Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.) Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.) Classificação UL: 94 V-0 Temperatura de operação: 0C a +85C Temperatura de armazenamento: -55C a +100C.