Fabricante: Infineon

Categoria do Produto: Módulos IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)

Produto: Módulos de Silício IGBT

Configuração: Dupla

Tensão Coletor-Emissor VCEO Máx.: 1,2 kV

Tensão de Saturação Coletor-Emissor: 3,2 V

Corrente Contínua do Coletor a 25 °C: 370 A

Corrente de Fuga do Gate-Emissor: 400 nA

Pd - Dissipação de Potência: 1,95 kW

Invólucro/Formato: 62 mm

Temperatura Mínima de Operação: -40 °C

Temperatura Máxima de Operação: +125 °C

Embalagem: Bandeja

Marca: Infineon Technologies

Altura: 30,9 mm

Comprimento: 106,4 mm

Tensão Máxima Gate-Emissor: 20 V

Estilo de Montagem: Montagem em Chassi

Tipo de Produto: Módulos IGBT

Série: IGBT2 Fast

Subcategoria: IGBTs

Tecnologia: Si (Silício)

Largura: 61,4 mm

No de Peça Alternativo: SP000100774 FF300R12KS4HOSA1

Peso Unitário: 340 g

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