Especificações elétricas:

Tensão máxima de trabalho: 600V

Corrente máxima de trabalho: 75A

Características principais:

Tipo de dispositivo: Módulo IBGT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Configuração: NPN (negativo-positivo-negativo)

Estrutura do módulo: Isolado (com isolamento elétrico entre a parte de controle e a parte de potência)

Tecnologia de fabricação: Semicondutor de potência de última geração

Parâmetros elétricos típicos:

Tensão de saturação (Vce(sat)): < 2V

Tensão de bloqueio reversa (Vces): > 600V

Tensão de disparo (Vge(th)): 3V (valor típico)

Corrente de saturação (Ic(sat)): 75A (valor máximo)

Ganho de corrente (hFE): Alto ganho de corrente para amplificação eficiente

Resistência térmica (Rth): Valor típico de resistência térmica

Recursos adicionais:

Proteção contra sobretensão e subtensão

Proteção contra corrente excessiva

Proteção contra curto-circuito

Tempo de comutação rápido para eficiência energética

Baixa perda de potência durante a operação

Aplicações:

Conversores de energia

Inversores de frequência

Fontes de alimentação

Sistemas de acionamento de motores

Eletrônica de potência em geral

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Perguntas frequentes:

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