Fabricante: IXYS

Categoria de produto: Módulos de semicondutores para uso específico

Produto: Power MOSFET Modules

Tipo: PolarHT HiPerFET Power MOSFET

Tecnologia: Si

Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V

Estilo de montagem: Screw Mounts

Caixa / Gabinete: SOT-227-4

Temperatura operacional mínima: - 55 C

Temperatura operacional máxima: + 175 C

Série: IXFN140N20

Embalagem: Tube

Marca: IXYS

Configuração: Single

Tempo de queda: 90 ns

Altura: 12.22 mm

Id - Corrente de drenagem contínua: 115 A

Comprimento: 38.23 mm

Número de canais: 1 Channel

Pd - Dissipação de potência: 680 W

Tipo de Produto: Discrete Semiconductor Modules

Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 18 mOhms

Tempo de ascensão: 35 ns

Subcategoria: Discrete Semiconductor Modules

Nome comercial: HiPerFET

Polaridade do transistor: N-Channel

Tempo de retardo de desligamento típico: 150 ns

Tempo típico de ativação/retardo : 30 ns

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V

Tensão de limite porta e fonte: 5 V

Largura: 25.42 mm

Peso unitário: 30 g

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